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IGBT的构造与工作原理详解

1.前言 在绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)得到大力发展以前,功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合,晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是,在200V或…

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